SiC对等温热处理AZ91D镁合金组织的影响

对经SiC变质处理的AZ91D镁合金的铸态组织及其在半固态等温热处理过程中组织的变化进行了研究.结果表明:该合金的微观组织在等温热处理过程中经历了四个阶段,初期的快速粗化阶段、组织分离阶段、晶粒球状化阶段和最后的粗化阶段;随着等温时间的延长,未变质处理的镁合金的组织由树枝晶状变成近球状,经变质处理的镁合金组织由等轴晶变成细小的球状,继续延长等温时间,二者的组织均逐渐地合并长大.     

高体积比SiC_p/6013Al复合材料反应熔渗制备与热学性能

采用反应熔渗法在低压力下制备高体积比SiCp/Al复合材料 ,并研究其热学性能。临界熔渗压力与SiC颗粒尺寸及反应程度有关。Al熔体在无压或低压力下能渗入SiC预成形坯 ,制备出组织均匀的高体积比SiCp/Al复合材料 ,SiC颗粒体积分数约 5 0 %。界面反应对SiCp/Al复合材料的CTE的影响很小 ,但会降低SiC/Al的界面传热系数 ,影响材料的导热性能。降低熔渗温度和缩短保温时间可缓减界面反应程度 ,提高复合材料的热学性能 ,CTE在 10× 10 - 6 /K以下 ,复合材料的导热系数达到 164(W·m- 1 ·K- 1 )。     

SiCp/Fe复合材料工艺及性能研究

研究了SiCp/Fe金属基复合材料的界面反应和烧结机理，并分析了工艺参数对材料性能的影响，结果表明，在1050℃左右能有效控制界面反应，界面反应及材料的烧结以固相扩散为主，优化烧结温度和烧结时间能促进复合材料烧结致密化，少量细颗粒的SiCp更能有效提高材料的性能。     

高稳定度激光器驱动器的研究与设计

本文介绍了一种实用型基于单片机的高稳定度半导体激光器驱动器.该驱动器由单片机进行程序化控制.末级电路采用功率MOSFET作电流控制元件,运用负反馈原理稳定输出电流.最后对输出电流的稳定度进行了分析,输出电流长期稳定度可达到4.O×10-5以下.     

高强度SiC陶瓷泡沫的变形特性

制备了具有三维连通网状开放结构的碳化硅(SiC)陶瓷泡沫,并测试了其机械性能.SiC陶瓷泡沫表观密度可控制在0.4~1.3 g/cm3,相应的抗压强度为8~50 MPa、抗折强度为3~30 MPa.通过压缩测试得到了SiC陶瓷泡沫应力-应变曲线,发现它只存在一个线性弹性区,这与相关文献报道的结果不同.这可以归因于其内部存在着精细、高密度和高强度的细丝微结构.SiC和细丝在外界施加载荷时能够均匀响应.     

Experimental study on fluidisation behaviour and pressure drop across the centrifugal fluidised bed with static geometry by varying inlets,inlet width and mass of bed particles

Centrifugal fluidised bed with static geometry (CFBSG) is the novel approach of fluidisation which has not yet attracted the attention of IC engine researchers to remove particulate matter. This requires necessitating an understanding of the nature of fluidisation and pressure drop in CFBSG. The present study describes an experimental study on the effect of a number of inlets, inlet width, and mass of bed particles silicon carbide (SiC) on fluidisation and pressure drop across the fluidised bed chamber using air as a medium. Low pressure drop and better partial fluidisation were observed for three- and four-inlet chambers, especially at a higher loading of bed particles. The accumulation of bed particles near inlet and outlet is also drastically reduced as the number of inlet increases. When compared to 5?mm inlet slot chambers, 3?mm inlet slot chambers for any inlet gives better fluidisation with higher pressure drop.     

一款48 V BSG电机控制器开发与验证

针对轻型混合动力汽车开发了一款48 V带传动一体化起/发电机(BSG)电机控制器。阐述了该控制器的总体设计方案,对BSG电机控制器的结构、硬件、软件进行了分析,提出了基于功率MOSFET模块的风冷电机控制器设计方案,并对风冷散热板进行了热仿真,研究了MOSFET模块散热效果。最后,对试验样机进行了台架测试,由测试结果可以看出,所设计48 V BSG电机控制器具有良好的控制效果。     

平面栅SiC MOSFET设计研究

碳化硅MOSFETs开关速率快,耐压高,在逆变器应用领域前景广阔。平面栅MOSFETs因其成熟的工艺是最先被商业化的器件。在平面栅MOSFETs的设计中,降低导通电阻和提高芯片的电流密度是重要的开发目标。基于自主研制的1 200 V及1 700 V SiC MOSFETs,研究了载流子扩展层技术、JFET注入技术以及元胞结构对器件电学特性的影响。测试结果表明采用方形元胞设计的SiC MOSFET的电流明显大于采用条形元胞设计的电流,JFET注入对阈值电压的影响比载流子扩展层技术更小。     

Si IGBT/SiC MOSFET混合器件及其应用研究

综述了Si IGBT/SiC MOSFET混合器件在门极优化控制策略、集成驱动设计、热电耦合损耗模型、芯片尺寸配比优化和混合功率模块研制等方面的最新研究成果与进展。Si IGBT/SiC MOSFET混合器件结合了SiC MOSFET的高开关频率、低开关损耗特性和Si IGBT的大载流能力和低成本优势,已有文献的最新研究和实验结果验证了该类器件的优异特性,表明其对高性能电力电子器件实现更高电流容量、更高开关频率和较低成本具有重要意义,是高性能变换器应用中非常有潜力的功率器件类型。     

基于遗传算法的SiC MOSFET导通电阻模型

提出了一种简洁、新颖的SiC MOSFET器件导通电阻模型,该模型采用遗传算法对其不同温度下的导通电阻进行准确描述。相比于传统的导通电阻建模方案,采用进化算法可以准确地得到MOSFET导通电阻与结温之间的关系。并探究了不同种群规模、交叉率和变异率对算法的影响。为了验证模型的准确性,采用一款自主封装的1 200 V/90 A SiC MOSFET模块去验证模型的静态特性,并与传统导通电阻建模方案进行对比,其最大误差为4.1%。